机构预测2026年二季度全球DRAM营收同比增385%

驱动中国9月6日消息，市场研究机构发布的最新前瞻报告显示，2026年第二季度全球DRAM市场营收将较2025年同期大幅攀升385%。这一增速远超以往周期波动幅度，预示着存储行业正迈入由人工智能需求牵引的新一轮高景气区间。

DRAM作为半导体存储器的核心品类，其行情历来与PC、智能手机及服务器的出货节奏深度绑定。本轮预期中的暴涨并非单一因素所致，而是多重供需力量叠加的结果。一方面，2025年同期正值行业周期底部，基数偏低放大了同比增幅；另一方面，生成式AI大模型的训练与推理对内存带宽和容量的需求持续攀升，高带宽内存（HBM）与DDR5服务器内存成为各大原厂优先保障的产能方向，标准DRAM供给相对吃紧。

从供给端观察，过去两年间主要DRAM制造商普遍奉行克制的扩产策略。资本开支并未大举投向通用产能，而是集中于制程微缩与高附加值产品线。这种供给纪律令标准DRAM库存处于健康水位，合约价自2025年下半年起已逐步走高。随着时间推移至2026年，AI服务器出货量有望进一步放量，叠加消费电子换机周期渐次启动，DRAM市场有望出现供需合力推升的格局。

行业分析人士指出，385%的季度同比增长率若最终兑现，意味着届时单季DRAM市场规模将远超近年来的常规水平，甚至可能与上一轮超级周期的高点比肩。更重要的是，这一增长背后，DRAM的需求引擎已发生结构性切换——数据中心与AI加速器的重要性正在超越传统移动终端，成为决定行业走向的关键变量。由此，DRAM的长期增长逻辑不再是简单重复过去由PC销量主导的周期律。

产业链层面，高景气将沿存储链条广泛传导。上游设备与材料供应商将受益于原厂提高先进制程投片量；封装测试环节因HBM的堆叠工艺而获得更高附加值订单；而服务器ODM与云服务商则需应对内存成本上升带来的采购压力。据渠道信息，针对2026年合约价格的谈判已提前展开，卖方议价能力显著增强。

值得留意的是，超预期预测背后同样存在变量。地缘政治对半导体出口管制的加码，可能重塑部分地区的产能分配；若消费电子复苏力度弱于预期，标准DRAM面临库存回调风险。此外，若AI资本开支出现阶段性放缓，HBM的需求热度亦可能受到扰动。此次发布的数据属于前瞻性研判，后续实际达成情况仍取决于未来数季度的市场演进。

从更宏观的视角审视，DRAM行业正在告别以往剧烈波动的周期印象，头部厂商通过长期协议与先进制程锁定，力图让业绩增长更具韧性。而AI带来的算力需求革命，无疑为存储芯片打开了新的价值通道。此次机构预测所勾勒的量价齐升图景，或将成为存储厂商新一轮战略扩张与产能规划的重要参考坐标。