中微Primo Domingo刻蚀设备首台机付运

驱动中国10月22日消息，中微公司宣布，其Primo Domingo气相高选择性刻蚀设备全球首台机已付运国内一家重要集成电路研发制造客户。该设备面向GAA晶体管、3D NAND和3D DRAM等下一代三维器件工艺开发，中微公司称其填补国内在下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。

该设备并非首次亮相。中微公司今年3月已发布该产品，此次付运意味着产品从发布阶段进入客户端实际验证环节。芯片架构从平面走向三维，是当前先进制程与存储技术继续缩微的主要路径。GAA晶体管需要在纳米尺度沟道周围形成栅极包裹，3D NAND依靠层数堆叠提升容量，3D DRAM试图以垂直结构突破平面电容面积限制。

这些结构的共同工艺难点在于，需要在极小空间内精准去除特定材料，同时几乎不损伤相邻结构。高选择性刻蚀针对“去除什么”与“保留什么”的取舍，选择比高低直接决定三维器件能否在良率可控前提下制造。

Primo Domingo技术设计围绕均匀性与稳定性展开。设备采用全对称腔体结构与优化流场设计，将气体注入、温度控制和压力调控进行系统整合；集成气柜缩短气体注入距离，以支持更快的脉冲气体精密控制。针对高活性刻蚀气体对设备腐蚀问题，中微公司为其配置高抗腐蚀管路与特殊涂层材料。

晶圆基座采用双制冷、双加热设计，用于宽范围精准温控。传输系统沿用中微公司已量产的Primo C6V3平台，可搭配主刻蚀腔与辅助退火腔。中微公司公开资料显示，Primo Domingo在GAA与3D DRAM关键工艺实验室验证中实现大于700:1的SiGe/Si选择比，但该数据尚待客户端量产验证确认。

经营与装机数据方面，中微公司2026年上半年营收66.91亿元，同比增长34.89%；2025年全年刻蚀设备销售收入98.32亿元，占公司整体营收约八成。截至2026年6月底，累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线上量产。国内刻蚀设备国产化率约31%。