前英特尔CEO基辛格支持Z2RAM内存

驱动中国10月28日消息，据semiconleadersasia消息，前英特尔首席执行官帕特·基辛格正通过风投机构Playground Global支持内存初创公司Nagare Labs开发下一代存储技术Z2RAM。该公司近期完成由Playground Global领投的500万美元种子轮融资，约合人民币3340.5万元，目标打造兼具SRAM速度与DRAM密度的AI计算内存，以缓解“内存墙”瓶颈。

Nagare Labs由佐治亚理工学院研究者苏曼·达塔与于世萌创立。Z2RAM采用氧化物半导体材料，并计划通过3D混合键合直接集成在逻辑芯片上方。该技术使用标准后端工艺BEOL，无需极紫外光刻EUV即可通过单次曝光形成多层存储结构，有望提升密度并降低制造复杂度与成本。

与传统DRAM依赖电容存储电荷不同，Z2RAM采用基于晶体管的存储单元，可实现非破坏性读取，从而有望降低访问延迟。该公司还计划像NAND闪存那样垂直堆叠存储单元，初期实现方案的目标比特密度可达SRAM的5倍以上。

目前，Z2RAM仍处于实验室原型阶段。Nagare Labs正在寻找研发制造合作伙伴，以突破大学洁净室的产能限制。该公司计划在四年内推出可工作的Z2RAM内存芯片样品，并在未来十年内实现商业化交付。相关报道标题显示，基辛格称HBM是“糟糕的内存”。